低電壓晶振,DSB221SDN,日本KDS大真空,1XXB16368MAA,進口溫補晶振
頻率：16.368MHz
尺寸：2.5*2.0mm
低電壓晶振,DSB221SDN,日本KDS大真空,1XXB16368MAA,進口溫補晶振
日本KDS大真空品牌的DSB221SDN是一款小體積的2520石英晶振，高精度表面貼裝，是有源晶振分類里的TCXO晶振，也叫溫度補償振蕩器，1XXB16368MAA具有超小型，輕薄型，低電源電壓，低相位噪聲，單體結構等特點，多用于一些比較高端的數碼通訊產品領域，GPS全球定位系統、智能手機、WiMAX和蜂窩和無線通信等產品，符合RoHS/無鉛。
日本KDS晶振，KDS即是日本大真空株式會社（DASHINKU CORP），成立于1951年，已有50多年的歷史。 是全球領先的三大晶振制造商之一。 日本KDS晶振制造工場主要分布在日本本土、中國大陸、中國臺灣、泰國、印度尼西亞等十個制造中心。 其中天津工場是全球晶振行業最大的單體制造工廠。 也是全球最大的TF型（主要是32.768K晶振）晶振制造工廠。
低電壓晶振,DSB221SDN,日本KDS大真空,1XXB16368MAA,進口溫補晶振
| 類型 | DSB221SDN （TCXO） |
| 頻率范圍 | 9.6 至 52MHz |
| 標準頻率 | 16.3676MHz/16.367667MHz/16.368MHz/16.369MHz/16.8MHz/26MHz/33.6MHz |
| 電源電壓范圍 | +1.68 to +3.5V |
| 電源電壓 （VCC) | +1.8V / +2.6V / +2.8V / +3.0V / +3.3V |
| 電流消耗 | +1.5mA max. (f≦26MHz) / +2.0mA max. (26<f≦52MHz) |
| 輸出電平 | 0.8Vp-p min. (f≦52MHz) (Clipped Sinewave/DC-coupled) |
| 輸出負載 | 10kΩ//10pF |
| 頻率穩定性 |
±0.5×10-6，±2.5×10-6 以下 / -30 至 +85°C
±0.5×10-6，±2.5×10-6 以下 / -40 至 +85°C
|
| 啟動時間 | 最大 2.0ms |
| 包裝單位 | 3000 個/卷 （Φ180） |
低電壓晶振,DSB221SDN,日本KDS大真空,1XXB16368MAA,進口溫補晶振
低電壓晶振,DSB221SDN,日本KDS大真空,1XXB16368MAA,進口溫補晶振
熱影響
重復的溫度巨大變化可能會降低受損害的石英晶振產品特性,并導致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.
安裝方向
石英晶體振蕩器的不正確安裝會導致故障以及崩潰,因此安裝時,請檢查安裝方向是否正確.
通電
不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會導致無法產生振蕩和/或非正常工作.
有源晶振的負載電容與阻抗
負載電容與阻抗有源晶振設置一個規定的負載阻抗值.當一個值除了規定的一個設置為負載阻抗輸出頻率和輸出電平不會滿足時,指定的值這可能會導致問題例如：失真的輸出波形.特別是設置電抗,根據規范的負載阻抗.輸出頻率和輸出電平,當測量輸出頻率或輸出水平,石英晶體振蕩器調整的輸入阻抗,測量儀器的負載阻抗晶體振蕩器.當輸入阻抗的測量儀器,不同的負載阻抗的晶體振蕩器,測量輸出頻率或輸出水平高,阻抗阻抗測量可以忽略.
抗沖擊
抗沖擊是指晶振產品可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到沖擊.如果產品已受過沖擊請勿使用.因為無論何種貼片石英晶振,其內部晶片都是貼片晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響.
耐焊性：
將晶振加熱包裝材料至+150℃以上會破壞產品特性或損害產品.如需在+150℃以上焊接石英晶振,建議使用有源貼片晶振產品.在下列回流條件下,對石英耐高溫晶振產品甚至晶振使用更高溫度,會破壞晶振特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些貼片晶振之前,應檢查焊接溫度和時間.同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查.如果需要焊接的晶振產品在下列配置條件下進行焊接,請聯系我們以獲取耐熱的相關信息.
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